熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成三维空间长程有序的形式成为单晶硅。 单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA 族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。

生长方法:CZ / FZ method

导电类型:P-type, N-type, Intrinsic

掺杂:Boron, Phosphorous, Antimony, ArsenicorNone

晶向:<100>, <111>, <110> or others

电阻率:0.001 ~50 ohm-cm (标准),

1000 ~20000 ohm-cm(高阻)

表面抛光类型:One side polished (SSP), Double sidedpolished(DSP)

表面粗糙度:PolishRa≤0.5 nm

包装:Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging

本公司可按客户提供的参数要求定制，以满足客户的生产需求，具体请来电详谈。

李先生（微信同号）